Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The TK35A08N1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 70nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  
- Robust construction with a high current-handling capability.  
- Avalanche energy specified for improved reliability in inductive load applications.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed application notes or exact performance curves, refer to Toshiba’s official datasheet.