Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK32E12N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK32E12N1  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating:** 1200V  
- **Current Rating:** 32A  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  
- **Package Type:** Module  

### **Descriptions:**
- The **TK32E12N1** is a high-power switching device designed for industrial and power electronics applications.  
- It integrates an IGBT and a freewheeling diode in a single module for efficient power control.  
- Suitable for inverters, motor drives, and other high-voltage applications.  

### **Features:**
- **High Voltage Rating:** 1200V for robust performance in power circuits.  
- **High Current Handling:** 32A continuous current capability.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in switching applications.  
- **Built-in Diode:** Includes an anti-parallel diode for inductive load protection.  
- **Isolated Base Plate:** Provides electrical isolation for easier thermal management.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.