Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK31E60W is a Toshiba semiconductor device, specifically a thyristor (SCR - Silicon Controlled Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Thyristor (SCR)  
- **Voltage Rating (VDRM/VRRM):** 600V  
- **Current Rating (IT(RMS)):** 31A  
- **Gate Trigger Current (IGT):** 30mA (typical)  
- **Gate Trigger Voltage (VGT):** 1.5V (typical)  
- **Holding Current (IH):** 40mA (typical)  
- **On-State Voltage Drop (VTM):** 1.7V (typical at rated current)  
- **Critical Rate of Rise of Off-State Voltage (dv/dt):** 100V/μs (min)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package Type:** TO-220AB (isolated tab)  

### **Descriptions:**
- The TK31E60W is a standard **silicon-controlled rectifier (SCR)** designed for medium-power switching applications.  
- It is optimized for **AC power control**, motor drives, and industrial automation systems.  
- The device features **high surge current capability** and **reliable performance** in switching circuits.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** 600V blocking voltage.  
- **High Current Handling:** Up to 31A RMS.  
- **Low Trigger Current:** Ensures compatibility with low-power control circuits.  
- **Isolated Package (TO-220AB):** Allows for easy mounting on heatsinks without insulation.  
- **Robust Construction:** Designed for high reliability in industrial environments.  

This information is based solely on the available technical data for the TK31E60W thyristor from Toshiba.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)