Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The part **TK31A60W** is manufactured by **Toshiba**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 31A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Package:** TO-247  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  
- Robust construction for reliable performance in demanding conditions.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage for reduced power loss.  
- High-speed switching performance.  
- Built-in fast recovery diode for improved efficiency.  
- High current and voltage handling capability.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba’s official documentation.