Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The TK30A06N1 is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) - 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The TK30A06N1 is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(ON)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Toshiba's datasheet for the TK30A06N1. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official documentation.