Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK30A06J3A** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating:** 600V  
- **Current Rating:** 30A  
- **Package Type:** TO-3P(N)  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- Features low saturation voltage for reduced power loss.  

### **Features:**  
- **High-speed switching** for improved performance.  
- **Built-in fast recovery diode** for enhanced reliability.  
- **Low conduction loss** for energy efficiency.  
- **Robust thermal performance** due to TO-3P(N) package.  

For detailed datasheets or further technical inquiries, refer to TOSHIBA's official documentation.