Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK2A65D is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Here are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 650V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 35pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 7pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 2pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TK2A65D is a high-voltage MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supply circuits, inverters, and motor control applications.  
- The device features low on-resistance and fast switching characteristics.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 650V drain-source voltage rating.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **Low Input Capacitance:** Enhances switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.