Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The part **TK22A10N1** is manufactured by **Toshiba**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating:** 1000V  
- **Current Rating:** 22A  
- **Package Type:** TO-3P(N)  
- **Configuration:** Single IGBT with diode  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  
- Features low saturation voltage for reduced power loss.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed** for improved performance.  
- **Built-in freewheeling diode** for protection.  
- **Low thermal resistance** for better heat dissipation.  
- **High reliability** for industrial applications.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.