Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK20S06K3L** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Technology:** Silicon N-Channel  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3Ω (typical)  
- **Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Package Type:** TO-3P(N)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  
- Features low on-resistance for improved efficiency.  

### **Features:**  
- **Low Gate Drive:** Optimized for reduced switching losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Low Thermal Resistance:** Improves heat dissipation in the TO-3P(N) package.  

This information is based on Toshiba's datasheet and product documentation for the **TK20S06K3L** MOSFET.

Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V)