Power MOSFET (N-ch single 30V<VDSS≤60V) The part **TK20P04M1** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Configuration:** Single N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.04Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **TK20P04M1** is a **N-channel power MOSFET** designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for **low on-resistance** and **fast switching performance**, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  
- The device is housed in a **TO-220AB package**, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to **20A continuous drain current**.  
- **Avalanche Energy Specified:** Improves reliability in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.