Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK20A60U is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (Vces):** 600V  
- **Current Rating (Ic):** 20A  
- **Power Dissipation (Pc):** 100W  
- **Package Type:** TO-220AB  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 1.8V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Suitable for inverters, motor control, and power supply circuits.  
- Features low saturation voltage and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **Low Loss:** Optimized for reduced conduction and switching losses.  
- **High Reliability:** Robust construction for stable operation.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances performance in switching applications.  
- **Isolated Package (TO-220AB):** Allows easy mounting with heat sinks.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.