Power MOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) The TK20A25D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-speed switching and amplification  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 25V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 2A  
- **Total Power Dissipation (PT):** 1W (at Ta = 25°C)  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (min)  
- **DC Current Gain (hFE):** 70 to 240 (at VCE = 6V, IC = 0.5A)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching and amplification in electronic circuits.  
- Low saturation voltage, enhancing efficiency in switching applications.  
- High current gain (hFE) ensures effective signal amplification.  
- Epitaxial planar structure provides stable performance.  
- Suitable for use in power management, motor control, and general-purpose amplification.  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to Toshiba’s official datasheet.