TK18E10K3

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V) The TK18E10K3 is a semiconductor component manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TK18E10K3  
- **Type:** Thyristor (SCR)  
- **Voltage Rating (VDRM/VRRM):** 800V  
- **Current Rating (IT(RMS)):** 18A  
- **Gate Trigger Current (IGT):** Typically 30mA  
- **Gate Trigger Voltage (VGT):** Typically 1.5V  
- **On-State Voltage (VTM):** Typically 1.7V at rated current  
- **Holding Current (IH):** Typically 30mA  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** TO-220AB (isolated tab)  

### **Descriptions:**  
- The TK18E10K3 is a silicon-controlled rectifier (SCR) designed for medium-power switching applications.  
- It is suitable for AC power control, motor drives, and industrial equipment.  
- The TO-220AB package provides thermal efficiency and electrical isolation.  

### **Features:**  
- High surge current capability.  
- Low gate trigger current for improved sensitivity.  
- Isolated mounting tab for simplified heat sinking.  
- Reliable performance under high-voltage conditions.  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba’s official datasheet.

Power MOSFET (N-ch single 60V<VDSS≤150V)