Power MOSFET (N-ch 250V<VDSS≤500V) The TK18A30D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Toshiba  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor (likely a Darlington transistor)  
- **Package:** TO-220 (standard through-hole package)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 100V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (min) at I_C = 10A  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-current switching and amplification applications.  
- Darlington configuration for high current gain.  
- Built-in freewheeling diode for inductive load protection.  
- Suitable for motor control, power supplies, and industrial applications.  
- TO-220 package for efficient heat dissipation.  

(Note: If additional details are required, consult Toshiba’s official datasheet for the TK18A30D.)