Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK17A65U is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 650V  
- **Current Rating (I_C):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 60W  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7V (typical at I_C = 17A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TK17A65U is a high-speed switching IGBT designed for applications requiring low saturation voltage and fast switching performance.  
- It is suitable for power conversion, motor control, and inverter circuits.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses in high-frequency applications.  
- **Isolated Package:** Eliminates the need for an additional insulating sheet.  
- **High Reliability:** Robust construction suitable for industrial applications.  

For further details, refer to Toshiba’s official datasheet.