Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK16H60C is a power transistor module manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Module  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 16A  
- **Maximum Power Dissipation (P_C):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Operating Temperature Range:** -20°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-3P(N)  

### **Descriptions:**  
- The TK16H60C is a high-voltage, medium-current IGBT module designed for power switching applications.  
- It features low saturation voltage and high-speed switching, making it suitable for inverters, motor drives, and power supplies.  
- The module includes a built-in freewheeling diode for improved efficiency in inductive load applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage & Current Capability:** 600V/16A rating for robust performance.  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces power loss and improves efficiency.  
- **Fast Switching:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Built-in Diode:** Simplifies circuit design by integrating a freewheeling diode.  
- **Isolated Package:** TO-3P(N) case provides electrical isolation for easier mounting.  

For detailed datasheets or application notes, refer to Toshiba's official documentation.