Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK16G60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Model:** TK16G60W  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- The TK16G60W is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **High Voltage Rating:** Supports up to 600V for robust performance in high-power applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching to reduce switching losses.  
- **High Current Capability:** Capable of handling up to 16A continuous current.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency and reduces drive power requirements.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.