Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK16E60W is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 250pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 80ns (typical)  
- **Operating Temperature Range (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TK16E60W is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses.  
- **High Voltage Rating (600V):** Suitable for high-power applications.  
- **Low Gate Charge:** Improves switching performance.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability in rugged conditions.  

The TK16E60W is packaged in a TO-247 package for efficient heat dissipation.  

(Note: Always refer to the official Toshiba datasheet for the most accurate and detailed specifications.)