Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK16A60W5 is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 64A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching performance for power conversion applications.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  
- Robust construction for reliable operation in demanding environments.  

This information is based solely on Toshiba's provided data for the TK16A60W5.