Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK15E60U is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Device Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C):** 15A  
- **Power Dissipation (P_C):** 60W  
- **Package Type:** TO-220F (isolated type)  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 15A)  
- **Switching Speed:** Fast switching characteristics  

### **Descriptions:**  
- The TK15E60U is a high-voltage IGBT designed for power switching applications.  
- It is suitable for inverters, motor control, and other high-efficiency power conversion systems.  
- The TO-220F package provides electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- Low saturation voltage (V_CE(sat)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Built-in freewheeling diode for inductive load handling.  
- Isolated package for simplified thermal management.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)