Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V) The TK14A55D is a semiconductor device manufactured by Toshiba. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 60V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
  - Collector Current (IC): 500mA  
  - Total Power Dissipation (PT): 500mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - DC Current Gain (hFE): 40 to 320 (at VCE=6V, IC=10mA)  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.25V (max) (at IC=50mA, IB=5mA)  
  - Transition Frequency (fT): 150MHz (min) (at VCE=10V, IC=10mA, f=100MHz)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (hFE) with a wide range.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for low-power circuits.  

For exact performance under specific conditions, refer to Toshiba's official datasheet.

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)