Power MOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V) The part **TK13P25D** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Polarity:** P-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -25V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -13A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **R_DS(ON) (Max):** 0.055Ω @ V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(ON))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved performance in switching circuits.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** systems.  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

For further details, refer to Toshiba’s official datasheet.

Power MOSFET (N-ch 150V<VDSS≤250V)