### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 15A (DC)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W (at 25°C case temperature)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 75 (at I_C = 4A, V_CE = 4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220 (isolated and non-isolated versions available)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching and amplification applications.  
- Suitable for general-purpose power amplification and switching in industrial and consumer electronics.  
- Robust construction with high current and voltage ratings.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- TO-220 package allows for easy mounting with heatsinks for thermal management.  
- Compliant with industry standards for reliability and performance.  

This transistor is commonly used in power supplies, motor control, and audio amplifiers.