### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -3A (continuous)  
- **Base Current (I_B):** -1A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 40W (at T_case ≤ 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 50 (at I_C = -1A, V_CE = -4V)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220 (through-hole mounting)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- High current capability with low saturation voltage.  
- Complementary to NPN transistor TIP31B.  
- Suitable for power amplification and switching in automotive, industrial, and consumer applications.  
- Robust construction with good thermal performance.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics datasheet.