### **Manufacturer Specifications (FAI Electronics):**  
- **Type:** PNP Silicon Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20-70 (at I_C = -1A, V_CE = -4V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 3MHz  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current capability with low saturation voltage.  
- TO-220 package for efficient heat dissipation.  
- Suitable for power supply, motor control, and audio amplifier circuits.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for detailed specifications.)