PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS The TIP112 is a PNP Darlington transistor manufactured by ON Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Darlington Transistor  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -2A  
- **Peak Collector Current (ICM):** -4A  
- **DC Current Gain (hFE):** 1000 (min) at IC = -500mA, VCE = -4V  
- **Power Dissipation (PD):** 50W (at TC = 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range (TSTG):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-current, high-voltage switching applications.  
- High DC current gain (hFE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage for reduced power loss.  
- Suitable for general-purpose amplification and switching.  
- Comes in a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.  
- Used in power supplies, motor control, and audio amplifiers.  

For detailed datasheet information, refer to ON Semiconductor’s official documentation.