NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor The TIP111TU is a power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 80V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 2A (continuous)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 500 (min) at I_C = 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The TIP111TU is a high-gain NPN Darlington transistor designed for medium-power switching and amplification applications.  
- It features a built-in base-emitter shunt resistor for improved switching performance.  
- Suitable for use in relays, motor control, and general-purpose amplification circuits.  

### **Features:**  
- **High DC Current Gain (h_FE):** Ensures efficient signal amplification.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances power efficiency in switching applications.  
- **Built-in Base-Emitter Resistor:** Provides stability and faster switching.  
- **TO-220 Package:** Allows for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the TIP111TU transistor.