Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors The TIP107G is a PNP Darlington transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Darlington  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -100V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -8A  
- **Peak Collector Current (ICM):** -16A  
- **Power Dissipation (PD):** 80W  
- **DC Current Gain (hFE):** 1000 (min) at IC = -4A, VCE = -4V  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The TIP107G is a high-voltage, high-current Darlington transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- It features a built-in base-emitter shunt resistor for improved performance and stability.  
- The device is housed in a TO-220 package, making it suitable for heat-sinking in high-power applications.  

### **Features:**  
- High DC current gain (hFE = 1000 min)  
- Low saturation voltage  
- Built-in base-emitter resistor for improved switching performance  
- High collector-emitter breakdown voltage (-100V)  
- Suitable for inductive load switching  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is sourced from ON Semiconductor's official datasheet for the TIP107G.