Plastic Medium−Power Complementary Silicon Transistors The TIP102G is a power Darlington transistor manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Darlington Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector Current (I_C):** 8A (Continuous)  
- **Peak Collector Current (I_CM):** 10A  
- **Base Current (I_B):** 120mA (Max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 1000 (Min) at I_C = 4A  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2V (Max) at I_C = 3A, I_B = 12mA  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The TIP102G is a high-power NPN Darlington transistor designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- It features a built-in base-emitter resistor for improved performance and stability.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and inductive load switching.  

### **Features:**  
- High DC current gain (h_FE)  
- Low collector-emitter saturation voltage  
- Built-in freewheeling diode for inductive load protection  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.