### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.019Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The THD215HI is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and other power management applications.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High current capability  
- Avalanche ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on STMicroelectronics' datasheet for the THD215HI.