TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS The **TH58NVG1S3AFT05** is a NAND flash memory component manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 1Gb (Gigabit)  
- **Organization:**  
  - **Page Size:** 2KB + 64B (Spare Area)  
  - **Block Size:** 128KB (64 pages per block)  
- **Interface:** Asynchronous 8-bit I/O  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V (Core)  
  - **VccQ:** 1.7V - 1.95V (I/O)  
- **Operating Temperature:**  
  - **Commercial Grade:** 0°C to +70°C  
  - **Industrial Grade:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP48 (48-pin Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Single-Level Cell (SLC) NAND Flash:** Provides high reliability and endurance.  
- **On-Die ECC (Error Correction Code):** Supports internal error correction for data integrity.  
- **Command/Address/Data Multiplexed I/O:** Uses an 8-bit bus for reduced pin count.  
- **Sequential Read/Write Operations:** Optimized for high-speed data transfer.  
- **Hardware Data Protection:** Includes **WP# (Write Protect)** pin for preventing accidental writes.  
- **Power-On Auto Load:** Automatically loads necessary parameters at startup.  
- **Compatibility:** Conforms to standard NAND flash command sets for easy integration.  

This part is commonly used in embedded systems, industrial applications, and consumer electronics requiring reliable non-volatile storage.  

*(Note: For detailed timing diagrams, AC/DC characteristics, or application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.)*