1-GBIT (128M x 8 BITS) CMOS NAND E2PROM The part **TH58100FT** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TH58100FT  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220F (isolated type)  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (typ.) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (typ.)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Isolated Package (TO-220F):** Provides electrical isolation between the heatsink and the device.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load switching.  
- **Applications:** Used in power supply circuits, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  

For detailed datasheet information, refer to TOSHIBA’s official documentation.

1-GBIT (128M x 8 BITS) CMOS NAND E2PROM