RF SPDT Switch (Application: PHS) The part **TG2205F** is manufactured by **TOSHIBA**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** TOSHIBA  
- **Part Number:** TG2205F  
- **Type:** Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)  
- **Voltage Rating:** 200V  
- **Current Rating:** 30A  
- **Power Dissipation:** 100W  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) @ VGS = 10V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **TG2205F** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  
- The **TO-220F** package provides good thermal performance and mechanical durability.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (RDS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **High-Speed Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Fully Molded Package:** Improves reliability and insulation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the available knowledge base. For detailed application notes or further technical support, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.