RF Cell Packs The part **TG2200AF** is manufactured by **TOSHIBA**.  
### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module  
- **Voltage Rating:** 1200V  
- **Current Rating:** 200A  
- **Package Type:** Module  
- **Configuration:** Dual IGBT with diode  
### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications  
- Suitable for inverters, motor drives, and industrial power systems  
- Features low switching losses and high efficiency  
### **Features:**  
- **High Voltage & Current Handling:** 1200V/200A rating  
- **Low Saturation Voltage:** Reduces conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications  
- **Built-in Diode:** Includes freewheeling diode for protection  
- **Isolated Base Plate:** Ensures electrical isolation for safety  
This module is commonly used in power electronics applications requiring robust and efficient switching.