N-Channel Power MOSFET 4.1A, 600V, 2.5Ω The TFP4N60 is a power MOSFET manufactured by TSC (Taiwan Semiconductor). Here are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The TFP4N60 is an N-channel enhancement mode power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, inverters, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced ruggedness  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under stress conditions  

The device is available in a TO-220 package for efficient heat dissipation.  

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