Series regulator (Three-terminal voltage regulator) The TA58M06F is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the key specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 58A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 230A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 6mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V (min) to 2.5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Package:** TO-220FM  

### **Description:**  
The TA58M06F is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring low on-resistance and high-speed switching. It is suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High-speed switching capability.  
- Improved avalanche energy resistance.  
- Lead-free and RoHS compliant.  
- Suitable for high-current applications.  

For detailed performance curves and application notes, refer to Toshiba’s official datasheet.