Three-Terminal Low Dropout Voltage Regulator 5.0V The TA48M05F is a power MOSFET manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 48A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 192A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 150pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  
### **Description:**  
The TA48M05F is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high-speed switching capabilities, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.
### **Features:**  
- Low on-resistance (RDS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Fast switching performance  
- Improved avalanche energy capability  
- Fully molded TO-220F package for enhanced thermal performance  
- Lead-free and RoHS compliant  
This information is based solely on the manufacturer's provided specifications.