1.9 ~ 2.5 GHz Band Power Amplifier The TA4401CT is a power transistor manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 4A  
- **Collector Dissipation (PC):** 40W  
- **Junction Temperature (Tj):** 150°C  
- **Storage Temperature (Tstg):** -55°C to +150°C  
- **DC Current Gain (hFE):** 60 to 320 (at IC = 2A, VCE = 2V)  
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (min)  

### **Description:**  
The TA4401CT is a high-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for use in power supplies, motor control, and audio amplifiers.  

### **Features:**  
- High current capability (4A)  
- Low saturation voltage  
- High DC current gain (hFE)  
- Epitaxial planar construction for improved performance  

For exact performance characteristics, refer to Toshiba's official datasheet.