### **Specifications:**  
- **Type:** Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor, BRBT)  
- **Package:** SOT-416 (SC-75A)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Ratings:**  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
  - Collector Current (IC): 100mA  
  - Total Power Dissipation (PT): 150mW  
- **Electrical Characteristics:**  
  - DC Current Gain (hFE): 56 (min) to 112 (max) @ IC = 2mA, VCE = 5V  
  - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.25V (max) @ IC = 10mA, IB = 0.5mA  

### **Descriptions and Features:**  
- **Built-in Resistors:** Includes bias resistors (R1 = 10kΩ, R2 = 10kΩ) for simplified circuit design.  
- **Compact Package:** SOT-416 (SC-75A) surface-mount package for space-saving applications.  
- **High Voltage Tolerance:** Suitable for switching and amplification in low-power circuits.  
- **Applications:** Used in digital circuits, load switching, and driver stages.  

For detailed datasheet information, refer to **TOSHIBA's official documentation**.