Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The **TE28F800C3TA110** is a flash memory component manufactured by **Intel**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Intel  
- **Part Number:** TE28F800C3TA110  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 512K x 16 or 1M x 8  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Access Time:** 110 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Pin Count:** 48  

### **Descriptions:**  
- The **TE28F800C3TA110** is a **3V-only** flash memory device designed for embedded systems, networking, and industrial applications.  
- It supports **asynchronous read operations** and is compatible with standard microprocessor interfaces.  
- Features **block erase architecture**, allowing individual sectors to be erased and reprogrammed without affecting other data.  

### **Key Features:**  
- **Single 3V Power Supply** (no additional voltage required for programming/erasing)  
- **High Reliability:** Supports **100,000 erase/program cycles** per block  
- **Data Retention:** Up to **10 years**  
- **Boot Block Architecture:** Provides flexible memory partitioning  
- **Low Power Consumption:** Active and standby modes for power efficiency  
- **Hardware & Software Data Protection:** Prevents accidental writes  

This flash memory is commonly used in **firmware storage, BIOS, and embedded applications** where non-volatile memory is required.  

(Note: For exact datasheet details, refer to Intel’s official documentation.)

Advanced Boot Block Flash Memory (C3) The **TE28F800C3TA110** is a flash memory component manufactured by **Intel**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Intel  
### **Part Number:** TE28F800C3TA110  

#### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:**  
  - 512K x 16 (x16 mode)  
  - 1M x 8 (x8 mode)  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Access Time:** 110 ns (max)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Pin Count:** 48  

#### **Features:**  
- **Asynchronous Operation:** Compatible with standard microprocessor interfaces.  
- **Block Architecture:** Organized in uniform blocks for flexible erase and programming.  
- **High Reliability:** Supports 100,000 erase/program cycles per block.  
- **Data Retention:** Up to 10 years.  
- **Command Set:** Intel-standard flash memory interface.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  

#### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Firmware storage  
- BIOS storage  
- Industrial and consumer electronics  

This information is based on Intel's official documentation for the **TE28F800C3TA110** flash memory component.