SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT The TE28F800B5T90 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Intel  

### **Part Number:**  
TE28F800B5T90  

### **Type:**  
Flash Memory  

### **Memory Capacity:**  
8 Mbit (1 MB)  

### **Organization:**  
- 512K x 16-bit  
- 1M x 8-bit  

### **Voltage Supply:**  
- **VCC (Core Voltage):** 3.0V to 3.6V  
- **VPP (Programming Voltage):** 12V (for programming/erase operations)  

### **Speed:**  
- **Access Time:** 90 ns  

### **Technology:**  
- **NOR Flash Architecture**  
- **Asymmetrically Block-Erase Capability**  

### **Features:**  
- **High-Performance Read Operations**  
- **Low-Power Consumption**  
- **Block Locking for Secure Data Protection**  
- **Embedded Algorithms for Program/Erase Operations**  
- **Compatible with JEDEC Standards**  
- **Extended Temperature Range Support**  

### **Packaging:**  
- **TSOP (Thin Small Outline Package)**  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Firmware storage  
- BIOS storage  
- Industrial and automotive electronics  

This information is based solely on the available technical specifications for the Intel TE28F800B5T90 flash memory component.

SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT The TE28F800B5T90 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Intel  
### **Part Number:** TE28F800B5T90  

#### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash (NOR)  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:**  
  - 512K x 16 (x16 data bus)  
  - 1M x 8 (x8 data bus)  
- **Supply Voltage:** 3.0V – 3.6V  
- **Access Time:** 90 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package), 48-pin  

#### **Features:**  
- **High-Performance Read Operations:**  
  - Random access time: 90 ns  
  - Page-mode access: 25 ns (4-word page buffer)  
- **Flexible Erase/Program Options:**  
  - Block erase (uniform or boot block architecture)  
  - Byte/word program capability  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 20 mA (typical)  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
- **Reliability & Endurance:**  
  - Minimum 100,000 erase/program cycles per block  
  - Data retention: 10 years minimum  
- **Compatibility:**  
  - JEDEC-standard pinout and command set  
  - Supports Common Flash Interface (CFI)  

#### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Industrial controls  
- Automotive electronics  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.