SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE The TE28F800B3T120 is a flash memory device manufactured by Intel. Below are its specifications, descriptions, and features based on the provided knowledge base:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Intel  
- **Part Number:** TE28F800B3T120  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 512K x 16 or 1M x 8  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The TE28F800B3T120 is a 3V-only, high-performance flash memory device designed for embedded systems and other applications requiring non-volatile storage.  
- It supports both 8-bit and 16-bit data bus configurations, providing flexibility in system design.  
- The device features a block-erasable architecture, allowing individual sectors to be erased without affecting others.  

### **Features:**  
- **Single 3V Supply:** Operates from 3.0V to 3.6V, reducing power consumption.  
- **Asynchronous Read Operations:** Supports standard microprocessor interfaces.  
- **Block Erase Capability:** Enables sector-by-sector erasure (typical block sizes: 8 KB, 32 KB, or 64 KB).  
- **High Reliability:** Endurance of 100,000 write/erase cycles per block.  
- **Data Retention:** Up to 10 years.  
- **Hardware and Software Protection:** Includes write protection mechanisms to prevent accidental data corruption.  
- **Compatibility:** Works with industry-standard flash memory controllers.  

This information is strictly factual and derived from Ic-phoenix technical data files. No additional guidance or suggestions are included.

SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE The TE28F800B3T120 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Intel  
### **Part Number:** TE28F800B3T120  

#### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:**  
  - 512K x 16 (x16 mode)  
  - 1M x 8 (x8 mode)  
- **Supply Voltage:** 3.0V (2.7V – 3.6V operating range)  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Interface:** Parallel  
- **Sector Architecture:**  
  - Eight 64 KB uniform sectors  
  - Additional boot block sectors (top or bottom configuration)  
- **Endurance:** 100,000 write cycles (minimum) per sector  
- **Data Retention:** 10 years (minimum)  

#### **Features:**  
- **Asymmetrical Block Architecture:** Supports flexible boot code storage.  
- **Command User Interface (CUI):** Enables in-system programming and erase.  
- **Single Voltage Operation:** No additional voltage required for programming or erasing.  
- **Hardware Write Protection:** Protects critical sectors from accidental writes.  
- **Low Power Consumption:**  
  - Active read current: 15 mA (typical)  
  - Standby current: 1 µA (typical)  
- **Industrial Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

This flash memory is designed for embedded systems, networking, and industrial applications requiring reliable non-volatile storage.  

(Note: Always verify datasheets for the most accurate and updated information.)