SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY The **TE28F800B3BA110** is a flash memory chip manufactured by **Intel**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Intel  
- **Memory Type:** Flash  
- **Memory Format:** EEPROM  
- **Memory Size:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 512K x 16-bit or 1M x 8-bit  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** 48-TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**
- The **TE28F800B3BA110** is a **3.3V** flash memory device designed for embedded systems, networking, and industrial applications.  
- It supports both **asynchronous and synchronous burst read modes** for high-speed data access.  
- Features **Intel’s advanced flash memory technology**, ensuring reliable performance.  

### **Key Features:**
- **High Performance:** Fast read/write operations with low power consumption.  
- **Flexible Architecture:** Configurable as x8 or x16 data bus width.  
- **Block Erase Capability:** Supports sector erase (uniform or boot block options).  
- **Extended Endurance:** High cycle endurance for frequent write/erase operations.  
- **Hardware and Software Protection:** Includes write protection mechanisms to prevent accidental data corruption.  

This flash memory chip is commonly used in applications requiring **non-volatile storage**, such as firmware storage, embedded systems, and telecommunications equipment.

SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY The TE28F800B3BA110 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Manufacturer:** Intel  
### **Part Number:** TE28F800B3BA110  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 512K x 16-bit or 1M x 8-bit  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns (maximum)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** 48-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Features:**  
- **Asynchronous Operation:** Compatible with standard microprocessor interfaces.  
- **Block Erase Architecture:** Supports uniform 8 KB or 64 KB block erasure.  
- **High Performance:** Fast read and write operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for battery-powered applications.  
- **Reliability:** High endurance (100,000 write/erase cycles per block) and data retention (10 years).  
- **Command Set:** Supports JEDEC-standard and Intel-specific flash commands.  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Networking equipment  
- Industrial controls  
- Automotive electronics  

This information is based on Intel's documentation for the TE28F800B3BA110 flash memory component. For detailed technical data, refer to the official datasheet.