SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY The TE28F800B3B110 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** Intel  
### **Part Number:** TE28F800B3B110  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:**  
  - 512K x 16 (x16 mode)  
  - 1M x 8 (x8 mode)  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Access Time:** 110 ns  
- **Interface:** Parallel  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- **Asymmetrically Blocked Architecture:**  
  - One 16 KB boot block (top or bottom configuration)  
  - Two 8 KB parameter blocks  
  - One 96 KB main block  
  - Fifteen 64 KB main blocks  
- **Single Voltage Read/Write/Erase:**  
  - 3.3V ± 10% for all operations  
- **High Performance:**  
  - Fast program/erase times  
  - Byte or word programming  
- **Reliability & Endurance:**  
  - Minimum 100,000 erase cycles per block  
  - Data retention: 10 years minimum  
- **Hardware & Software Protection:**  
  - Block locking for secure code/data storage  
  - VPP pin for additional protection  

### **Applications:**  
- Embedded systems  
- Firmware storage  
- BIOS storage  
- Networking equipment  

This information is based on Intel's official documentation for the TE28F800B3B110 flash memory component.

SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY The TE28F800B3B110 is a flash memory component manufactured by Intel. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Intel  
- **Part Number:** TE28F800B3B110  
- **Memory Type:** Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 512K x 16 or 1M x 8  
- **Supply Voltage:** 3.3V  
- **Access Time:** 70 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Interface:** Parallel  

### **Descriptions:**
- The TE28F800B3B110 is a 3.3V, 8 Mbit flash memory device designed for embedded systems and other applications requiring non-volatile storage.  
- It supports both x8 and x16 configurations, providing flexibility in system design.  
- The device features a high-performance read and write capability with a fast access time.  

### **Features:**
- **3.3V Single Power Supply:** Low-voltage operation suitable for modern systems.  
- **Flexible Data Width:** Configurable as x8 or x16 for compatibility.  
- **High Reliability:** Built-in error correction and wear-leveling mechanisms (if applicable).  
- **Fast Access Time:** 70 ns typical for efficient performance.  
- **Block Erase Architecture:** Supports sector or full-chip erase operations.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Industry-Standard Pinout:** Compatible with other similar flash memory devices.  

This information is based on Intel's documented specifications for the TE28F800B3B110 flash memory component.

SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY The TE28F800B3B110 is a flash memory chip manufactured by Intel. Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** Intel  
### **Part Number:** TE28F800B3B110  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 8 Mbit (1 MB)  
- **Organization:** 512K x 16 bits  
- **Supply Voltage:** 3.0V - 3.6V  
- **Access Time:** 70 ns  
- **Interface:** Parallel  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package:** TSOP (Thin Small Outline Package), 48-pin  

### **Features:**  
- **High-Performance Read Operations:** Fast access time for efficient data retrieval.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power-sensitive applications.  
- **Block Erase Architecture:** Supports sector erase (uniform or boot block configurations).  
- **Reliability:** High endurance (minimum 100,000 erase/program cycles per block).  
- **Data Retention:** Up to 10 years.  
- **Compatibility:** Designed for embedded systems, networking, and industrial applications.  

This flash memory is commonly used in applications requiring non-volatile storage, such as firmware storage, BIOS, and embedded systems.