28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY The TE28F010-120 is a 1 Mbit (128K x 8) flash memory device manufactured by Intel. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Density:** 1 Mbit (128K x 8)  
- **Technology:** Flash memory  
- **Supply Voltage:** 5V ± 10%  
- **Access Time:** 120 ns  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C) or Industrial (-40°C to +85°C)  
- **Package Options:** 32-pin PLCC (Plastic Leaded Chip Carrier) or 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Endurance:** 100,000 write/erase cycles per sector  
- **Data Retention:** 10 years  

### **Descriptions:**
- The TE28F010-120 is a non-volatile flash memory chip designed for high-performance embedded systems.  
- It supports in-system programming and erasing, eliminating the need for external programming devices.  
- The device is organized into 16 uniform sectors, each 64 Kbit (8 KB) in size, allowing flexible erase and programming operations.  

### **Features:**
- **Single 5V Power Supply:** No additional voltages required for read, program, or erase operations.  
- **High-Speed Performance:** 120 ns access time for fast read operations.  
- **Sector Erase Capability:** Individual sectors can be erased without affecting others.  
- **Command User Interface (CUI):** Simplifies programming and erasing with standard microprocessor commands.  
- **Hardware Data Protection:** Prevents accidental writes during power transitions.  
- **Low Power Consumption:** Active current (30 mA typical), standby current (100 µA typical).  
- **Compatibility:** JEDEC-standard pinout for easy replacement with other flash memory devices.  

This information is based solely on Intel's documented specifications for the TE28F010-120.