Interface circuit (relay and lamp driver) The part **TDE3247** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Part Number:** TDE3247  
- **Type:** Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB  
- **Maximum Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Maximum Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12A (per MOSFET)  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 700pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **TDE3247** is a dual N-channel Power MOSFET in a TO-220AB package, designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converter applications.  

### **Features:**
- **Dual N-Channel MOSFET** in a single package.  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current handling capability.**  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Pb-free and RoHS compliant.**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official STMicroelectronics datasheet.