**Part Number:** TDE1898RSP  

**Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Technology:** Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 4.5mΩ (typical) at V_GS = 10V  
- **Package:** PowerSO-10  

**Descriptions:**  
The TDE1898RSP is a dual N-channel power MOSFET designed for high-efficiency power management applications. It features low on-resistance and high current capability, making it suitable for switching and amplification in power circuits.  

**Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High current handling  
- Low R_DS(on)  
- Avalanche ruggedness  
- ESD protection  

(Note: Specifications may vary based on datasheet revisions. Always refer to the official STMicroelectronics datasheet for precise details.)