### **Specifications:**  
- **Type:** RF Power Transistor  
- **Technology:** LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)  
- **Frequency Range:** Designed for RF applications (specific frequency not provided in Ic-phoenix technical data files)  
- **Package:** Industry-standard RF power transistor package (exact package type not specified)  
- **Application:** RF power amplification in industrial, scientific, and medical (ISM) bands  

### **Descriptions:**  
- High-performance RF power transistor optimized for efficiency and linearity.  
- Suitable for high-power RF amplification in ISM band applications.  

### **Features:**  
- High power gain  
- Excellent thermal stability  
- Robust and reliable for demanding RF environments  
- Designed for high-efficiency operation  

(Note: Specific electrical characteristics such as voltage, current, and power ratings are not provided in Ic-phoenix technical data files.)