0.5A HIGH-SIDE DRIVER INDUSTRIAL INTELLIGENT POWER SWITCH The part **TDE1897RDP** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Part Number:** TDE1897RDP  
- **Type:** Dual NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor (RET)  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  
- **Polarity:** NPN + PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):**  
  - NPN: 50V  
  - PNP: -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):**  
  - NPN: 50V  
  - PNP: -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):**  
  - NPN: 5V  
  - PNP: -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):**  
  - NPN: 100mA  
  - PNP: -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 250mW  
- **DC Current Gain (h_FE):**  
  - NPN: 100 (min) at I_C = 1mA  
  - PNP: 100 (min) at I_C = -1mA  
- **Base Resistor Values:**  
  - NPN: 10kΩ  
  - PNP: 10kΩ  

### **Descriptions:**
- The **TDE1897RDP** is a dual transistor device containing one NPN and one PNP bipolar transistor, each with integrated base resistors.  
- It is designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- The compact **SOT-363 (SC-88)** package makes it suitable for space-constrained PCB designs.  

### **Features:**
- **Built-in base resistors** simplify circuit design.  
- **Matched NPN and PNP transistors** for complementary applications.  
- **Low saturation voltage** for efficient switching.  
- **High current gain (h_FE)** for improved signal amplification.  
- **Small footprint** for high-density PCB layouts.  

This information is based on STMicroelectronics' official documentation for the **TDE1897RDP**.