INTERFACE CIRCUIT (RELAY AND LAMP The part **TDE1787DP** is manufactured by **STM (STMicroelectronics)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (STM)  
- **Part Number:** TDE1787DP  
- **Type:** Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Package:** DPAK (TO-252)  
- **Voltage Rating (VDS):** 30V  
- **Current Rating (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.025Ω (typical)  
- **Gate Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  
- Avalanche ruggedness for improved reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

These details are based on available technical documentation for the **TDE1787DP** from STMicroelectronics.

INTERFACE CIRCUIT (RELAY AND LAMP The part **TDE1787DP** is manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** Dual NPN/PNP Resistor-Equipped Transistor (RET)  
- **Configuration:** Dual NPN + PNP Darlington transistors with resistors  
- **Package:** PowerSO-10  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):**  
  - NPN: 50V  
  - PNP: -50V  
- **Maximum Collector Current (IC):**  
  - NPN: 500mA  
  - PNP: -500mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1W  
- **DC Current Gain (hFE):** Typically 1000 (for both NPN and PNP)  
- **Integrated Base-Emitter Resistors:** Included for simplified drive circuitry  

### **Descriptions:**
- The **TDE1787DP** is a dual Darlington transistor array with built-in base-emitter resistors, designed for high-current switching and amplification applications.  
- It is suitable for driving relays, lamps, motors, and other inductive loads.  
- The device is optimized for low-power control applications where space-saving and reliability are key considerations.  

### **Features:**
- **Dual Darlington Configuration:** Combines NPN and PNP transistors in a single package.  
- **Integrated Resistors:** Simplifies external circuitry by eliminating the need for additional base resistors.  
- **High Current Gain (hFE):** Ensures efficient signal amplification.  
- **Compact PowerSO-10 Package:** Suitable for space-constrained designs.  
- **Reliable Switching Performance:** Designed for industrial and automotive applications.  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **STMicroelectronics datasheet** for **TDE1787DP**.